“贪大求高”。不少用户总希望ct系统能够检测尽可能大的样品，或者考虑到以后可能的发展，提出的大检测工件尺寸远远大于主要或经常需要检测的工件尺寸。购买者应当意识到，尺寸的加大一般都要带来成本的提高，购买者也应当明白这种增加的成本归根到底都是由购买者自己来承担的。购买者往往不大容易意识到的是：检测工件尺寸的增大总是要以技术指标的下降为代价的。
面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为ccd和cmos。ccd对x射线不敏感，表面还要覆盖一层闪烁体将x射线转换成ccd敏感的可见光。
半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，射线ct检测价格，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，射线ct检测，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。
平板探测器通常用表面覆盖数百微米的闪烁晶体（如csi）的非晶态硅或非晶态硒做成。像素尺寸127 或200μm，平板尺寸大约45cm（18in）。读出速度大约3～7.5帧/s。优点是使用比较简单，没有图像扭曲。图像接近于胶片照相，基本上可以作为图像增强器的升级换代产品。主要缺点是表面覆盖的闪烁晶体不能太厚，射线ct检测，对高能x 射线探测效率低；难以解决散射和窜扰问题，使动态范围减小。在较高能量应用时，必须对电子电路进行射线屏蔽。一般说使用在150kv以下的低能效果较好。
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