面探测器主要有三种类型：高分辨半导体芯片、平板探测器和图像增强器。半导体芯片又分为ccd和cmos。ccd对x射线不敏感，ct检测方案，表面还要覆盖一层闪烁体将x射线转换成ccd敏感的可见光。
半导体芯片具有小的像素尺寸和大的探测单元数，像素尺寸可小到10微米左右，探测单元数量取决于硅单晶的大尺寸，一般直径在50mm以上。因为探测单元很小，信号幅度也很小，为了增大测量信号可以将若干探测单元合并。
在高能电子束转换为x射线的过程中，仅有小部分能量转换为x射线，大部分能量都转换成了热，焦点尺寸越小，ct检测报价，阳极靶上局部功率密度越大，局部温度也越高。实际应用的功率是以阳极靶可以长期工作所---受的功率密度确定的。因此，小焦点乃至微焦点的的射线源的使用功率或大电压都要比大焦点的射线源低。电子辐射发生器的共同缺点是x射线能谱的多色性，这种连续能谱的x 射线会引起衰减过程中的能谱硬化，导致各种与硬化相关的伪像。
工业ct检测技术是以x 射线和γ射线作为辐射源的工业ct，其工作原理就是射线检测的原理。计算机层析成像技术使用不同的能量波作为辐射源，ct检测，其工作原理也有所不同。在工业无损检测中广泛应用的是透射层析成像技术(ict)，使用的辐射源多为x射线或y射线，包括低能x 射线或由产生的高能x射线，常用的γ射线同位素则有192ir、137cs 和60co 等。
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